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晶能光电成功研制硅衬底高功率InGaN LED
时间:2017-05-11 10:15 作者:admin 来源:未知
 

  长期潜心研究硅衬底LED的江西晶能光电日前演示了基于硅衬底的高功率InGaN LED,据说性能接近于采用传统衬底生长的LED。

  据了解,晶能光电长期致力于研制GaN-on-Si MOCVD生长技术,该公司总部坐落于江西南昌,本次演示的是一款冷白光LED,在350mA电流下光输出超过100流明,采用1x1mm芯片。

  目前绝大多数LED的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的LED在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的LED。

  晶能光电目前已经获得来自美国,台湾和新加坡多家风险投资基金提供的5000多万美元的投资,包括Mayfield, GSR Ventures, Asiavest以及Tomasek。该公司目前用于显示领域的小尺寸管芯(200-micron)已经进入量产阶段。

  最新的1x1mm 芯片研发成果将在第八届国际氮化物半导体会议上公布,本次会议将于2009年10月18日-23日在韩国济州岛举行。

  结果描述了一种生长于硅衬底(111)的高功率、倒装焊(Flip-Chip)、立式精密注塑(Vertical Injection)薄膜蓝光和白光InGaN/GaN LED,尽管该公司也宣布开始采用6英寸晶园,不过本次却采用2英寸衬底。

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